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三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上

三星电子7月27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。