尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。据报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。除此之外，据“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。”他补充道：“由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术，能将这些经验应用于HBF设计中。因此HBF技术的研发速度会更快。”HBF即高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。